HJT和TOPCON電池的技術工藝

作者：admin2024-07-04 13:53 熱度：522

HJT（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer Technology，本征薄膜異質結技術）和TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化層鈍化接觸技術）電池都是當前太陽能電池領域的先進技術，它們(men) 在技術工藝上各有特點。

HJT電池技術工藝

HJT電池技術工藝主要包括以下幾個(ge) 關(guan) 鍵步驟：

矽基片製備：準備高質量的n型矽基片，經過去雜質、磨平、清洗等工藝步驟，以保證其表麵質量和純度。
襯底氧化：將矽基片表麵進行氧化處理，形成一層薄薄的絕緣層，以改善表麵的電學性能並提高後續步驟中的薄膜質量。
薄膜沉積：使用化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)技術，在矽基片上沉積一層細微的非晶矽薄膜。這層薄膜通常具有Intrinsic的性質，即不含摻雜雜質，並且在物理上為(wei) 非晶態。
襯底清洗：將薄膜沉積後的矽基片進行化學清洗，去除其表麵可能存在的雜質和汙染物。
低溫退火：在較低的溫度下進行退火處理，以促進薄膜的結晶並提高晶體(ti) 矽和非晶矽界麵的質量。
透明導電氧化物層生長：在矽基片上生長一層透明導電氧化物(TCO)，如氟化錫氧化錫(FTO)或氧化鋅(ZnO)。這一層薄膜具有良好的導電性和透明度，用於(yu) 光電流的導出。
截斷：使用激光或機械切割技術，將矽基片切割成較小的電池片。
背電極的鍍膜：在電池片的背麵沉積一層金或鋁等導電材料，用作背電極。
背電極退火：在較高的溫度下對金屬背電極進行退火，以改善電極和矽基片之間的接觸和導電性。
N型HJT層製備：在背電極上沉積一層n型摩爾薄材或n型矽薄膜，形成HJT結構的n型層。
P型HJT層製備：在n型層上沉積一層p型摩爾薄材或p型矽薄膜，形成HJT結構的p型層。
透明封裝：在電池片的正麵塗覆一層透明封裝材料，如聚合物或玻璃，保護電池片並增強透明度以提高光吸收。
輸出接線：在電池片上連接正負極，以導出電流。

HJT電池技術的生產(chan) 工藝需要嚴(yan) 格的工藝控製和質量管理，以確保電池片的高質量和穩定性。其高效率、高可靠性和低成本的特點，推動了清潔能源的應用和可持續發展。

TOPCon電池技術工藝

TOPCon電池技術工藝主要包括以下幾個(ge) 步驟：

製造背場：使用氫氧化鉀(KOH)去除c-Si晶片切割過程中的鋸損傷(shang) ，然後使用擴散法在電池正麵形成一層三溴化硼(BBr)。
清潔晶圓：使用濕化學法去除背麵的三溴化硼，並通過施加硝酸和氫氟酸(HF/HNO)去除背麵的雜質，最後通過濕化學浸漬產(chan) 生超薄氧化層。
生長n-a-Si層：通過等離子體(ti) 增強化學氣相沉積(PECVD)工藝生長磷摻雜的非晶矽(n-a-Si:H)層，然後在高溫下退火後將其轉化為(wei) nPoly-Si層。
製造P型襯底：使用氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)等材料製造P型襯底，作為(wei) 下一步生長n-a-Si層的支撐。
生長P型層：在P型襯底上使用氧化還原法生長一層高質量的n-a-Si層，厚度約為(wei) 100-200納米。
製造M麵：在n-a-Si層上使用電化學沉積工藝製造一層金屬鋁(Al)塗層，作為(wei) TOPCon電池的正麵金屬接觸麵。
製造TOPCon電池的背麵：在電池背麵使用水氧化物(H2O)或氫氧化物(OH)等材料，通過施加電壓形成一層透明導電膜。
鈍化：使用濕化學法在TOPCon電池背麵形成一層鈍態薄膜，以增加電池的循環壽命。
分離：將TOPCon電池從(cong) 襯底上分離，並進行檢測和分選。