HJT與PERC製絨工藝的核心差異
一、工藝目標與(yu) 作用
共同目標：通過化學腐蝕去除矽片切割損傷(shang) 層及表麵汙染物，形成絨麵結構以降低光反射率（反射率從(cong) 30%降至10%以下）。
核心差異：
PERC（P型矽片）：采用堿性溶液（如NaOH）製絨，通過各向異性腐蝕形成金字塔絨麵，適用於(yu) 高溫工藝鏈（如擴散、氧化等後續高溫步驟）。
HJT（N型矽片）：需使用酸性溶液（如HF/HNO3混合液）進行各向同性腐蝕，形成更均勻的納米級絨麵，避免損傷(shang) 後續低溫沉積的非晶矽薄膜層。
二、技術參數對比
| 參數 | PERC製絨 | HJT製絨 | 差異影響 |
|---|---|---|---|
| 矽片類型 | P型單晶矽（摻雜硼） | N型單晶矽（摻雜磷） | N型矽製絨需更精細表麵處理以保障異質結界麵質量 |
| 腐蝕液類型 | 堿性溶液（NaOH/KOH） | 酸性溶液（HF/HNO3） | 酸性製絨避免破壞HJT低溫工藝兼容性 |
| 絨麵結構 | 微米級金字塔結構（高度1-3μm） | 納米級絨麵（粗糙度<0.5μm） | HJT絨麵更平整，降低非晶矽沉積缺陷率 |
| 工藝溫度 | 80-90℃（高溫工藝鏈） | 常溫或低溫（<40℃） | HJT需匹配後續<200℃的薄膜沉積溫度 |
| 設備兼容性 | 通用槽式/單片清洗設備 | 需專用酸性製絨設備（耐腐蝕材料） | HJT產線需單獨采購製絨設備，增加初期投資 |
三、工藝難點與(yu) 解決(jue) 方案
PERC製絨：
挑戰：堿性溶液易導致矽片表麵金屬離子殘留（如Na⁺），影響鈍化效果。
優(you) 化：增加去離子水衝(chong) 洗步驟，並采用臭氧/超聲輔助清洗降低汙染。
HJT製絨：
挑戰：酸性腐蝕需精確控製反應速率（過快導致過刻蝕，過慢則絨麵不足）。
優(you) 化：引入動態濃度調節係統（實時監測pH值）和表麵活性劑（如異丙醇）提升均勻性。
四、對電池性能的影響
反射率與(yu) 光吸收：
PERC金字塔絨麵通過多次反射增強光捕獲，但受限於(yu) 微米級結構對短波長光的散射損失。
HJT納米級絨麵減少短波反射（尤其紫外光），提升異質結電池的量子效率（EQE）。
鈍化效果：
PERC製絨後的表麵需高溫氧化/ALD鍍膜鈍化，易引入熱損傷(shang) 缺陷。
HJT製絨後直接沉積本征非晶矽（i-a-Si），低溫工藝保留矽片少子壽命（>1ms）。
五、成本與(yu) 產(chan) 業(ye) 化現狀
設備成本：HJT製絨設備單價(jia) 約300-500萬(wan) 元/GW，高於(yu) PERC的200-300萬(wan) 元/GW（因耐酸材料需求）。
耗材成本：HJT酸性腐蝕液（HF）單耗約0.8L/片，高於(yu) PERC的堿性液（0.5L/片），但可通過回收係統降低30%用量。
良率差異：當前HJT製絨良率約97%（PERC為(wei) 99%），主要因酸性工藝控製難度較高。
總結
HJT與(yu) PERC製絨的核心差異源於(yu) 矽片類型、工藝溫度鏈及後續技術兼容性需求。HJT通過酸性製絨實現納米級表麵處理，支撐其高效率與(yu) 低溫工藝優(you) 勢，但需在設備、耗材及工藝控製上投入更高成本。
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